SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。此外，SOI材料還被用來制造MEMS光開關(guān)，如利用體微機械加工技術(shù)。

　　SOI應(yīng)用范圍：

　　除了特異的優(yōu)點，在集成電路中使用外，還被用于微光機電MEMS系統(tǒng)的制造，如3D反射鏡陣列開關(guān)。該反射鏡是在SOI襯底的'活性層中形成可動反射鏡，與另一臺階狀電極的襯底連接而成。由于使用單晶硅襯底，且在可動反射鏡，直徑500微米，的上下面上對稱的以同一條件而形成反射膜等，因此，具有10納米級的翹曲與數(shù)十納米的表面粗糙度。